Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterschiede

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 42
    Rund um -68% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR5
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2423 left arrow 3419
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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