RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3224
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link