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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
74
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1825
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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