RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
74
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
74
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1825
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link