RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3238
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link