RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3238
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Corsair CMT32GX5M2X6200C36 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905402-158.A00LF 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link