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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3238
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
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