RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
104
Rund um -206% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2756
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link