RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3631
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link