RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
104
Rund um -167% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3046
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link