RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3912
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link