RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
104
Rund um -259% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3687
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link