RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 14.8
    テスト平均値
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 104
    周辺 -259% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 3687

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
メモリRAM