RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
104
Rund um -300% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3609
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link