RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
104
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3609
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link