RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
27
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
19
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.9
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3148
4044
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link