RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparez
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
27
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.9
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.9
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
19.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3148
4044
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB Comparaison des RAM
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link