RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Comparez
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
22
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
21
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.7
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3075
3077
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link