RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
53
Autour de 49% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
53
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2319
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link