RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
22
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3077
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link