RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
104
Rund um -259% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3134
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link