RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
104
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2836
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link