RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
104
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2836
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link