RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
104
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3207
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link