RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
104
Около -117% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
48
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3207
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link