RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2259
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link