RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
104
Rund um -271% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3536
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link