RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3536
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link