RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
104
Rund um -271% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2931
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link