RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
104
Autour de -271% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2931
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link