RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3352
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link