RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3352
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link