RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
104
Rund um -316% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3402
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link