RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
104
Около -316% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3402
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link