RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2666
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link