RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
104
Rund um -206% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2588
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link