RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
104
Rund um -333% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3257
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link