RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
104
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
6.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1860
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link