RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.5
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
11.8
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1860
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Сравнения RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link