RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
104
Rund um -285% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3631
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link