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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
104
左右 -285% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
27
读取速度,GB/s
3,192.0
19.5
写入速度,GB/s
2,404.5
15.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3631
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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