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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
63
左右 -85% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
34
读取速度,GB/s
3,231.0
17.7
写入速度,GB/s
1,447.3
12.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3356
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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