RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
19.5
写入速度,GB/s
870.4
15.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3631
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link