RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
87
Por volta de -222% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3631
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link