RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
104
Rund um -167% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2513
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link