RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
104
Intorno -167% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
39
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2513
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link