RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
104
Rund um -160% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2875
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link