RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
104
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
7.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2190
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link