Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Note globale
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Note globale
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 10.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    48 left arrow 104
    Autour de -117% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.4 left arrow 2,404.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    104 left arrow 48
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,192.0 left arrow 10.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,404.5 left arrow 7.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    786 left arrow 2190
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons