RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
104
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2825
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link